SI4488DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4488DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.25 |
10+ | $2.021 |
100+ | $1.6244 |
500+ | $1.3346 |
1000+ | $1.1058 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.56W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI4488 |
SI4488DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4488DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
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2023/12/20
![]() SI4488DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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